四氟（PTFE）清洗花篮因其优异的化学稳定性、耐高温性和低污染特性，成为半导体晶圆硅片清洗工艺中的关键工具。

材料特性与优势

• 耐腐蚀性：PTFE可抵抗强酸（如氢氟酸、硫酸）、强碱及有机溶剂，适合半导体清洗中的苛刻化学环境。
  
• 高纯度：材料本身不释放粒子，避免污染晶圆表面。
  
• 耐高温：工作温度范围广（-200°C至+250°C），适用于高温清洗或烘干步骤。
  
• 低表面能：晶圆易于取出，减少机械损伤风险。
  

设计要点

• 结构优化：花篮通常设计为镂空网格结构，确保清洗液充分接触晶圆，同时避免残留。
  
• 尺寸适配：需匹配晶圆尺寸，边缘支撑部位需圆滑处理。
  
• 防静电设计：部分场景需添加防静电涂层，防止静电吸附微粒。
  

清洗工艺中的使用

1. 湿法清洗：将晶圆放入四氟花篮后浸入清洗槽，配合SC1（氨水+双氧水）、SC2（盐酸+双氧水）等溶液去除颗粒和金属杂质。
   
2. 超声波辅助：花篮需耐受超声波振动，增强清洗效果。
   
3. 干燥环节：花篮可直接进入烘箱或IPA蒸气干燥，避免二次污染。
   

维护与注意事项

• 定期检查：长期使用后需检查花篮是否有裂纹或变形，防止刮伤晶圆。
  
• 清洁程序：使用后需用去离子水冲洗，避免化学残留交叉污染。
  
• 存放环境：建议置于无尘柜中，避免机械碰撞。